2-power 2P-PA5104U-2M8G - 8 GB - 1 x 8 GB - DDR3L - 1600 MHz

Gdy komputer stacjonarny ma problemy z wielozadaniowością lub brakuje mu pamięci podczas wymagających aplikacji, modernizacja pamięci RAM jest najbardziej opłacalnym rozwiązaniem. Moduł 2-POWER 2P-PA5104U-2M8G zapewnia 8 GB pamięci DDR3L przy 1600 MHz, aby tchnąć nowe życie w starsze systemy. Działa przy niskim napięciu 1,35 V, zmniejszając zużycie energii i ciepło w porównaniu do standardowej pamięci DDR3, zachowując jednocześnie pełną kompatybilność z płytami głównymi obsługującymi DDR3L.

Dla kogo jest przeznaczony

Ten moduł jest odpowiedni dla użytkowników domowych, pracowników biurowych i małych firm, które potrzebują zmodernizować komputer stacjonarny, aby poprawić responsywność w systemie Windows, pakietach biurowych, przeglądaniu internetu i lekkim tworzeniu treści. Jest również idealny dla integratorów systemów, którzy potrzebują niezawodnego, jednorangowego modułu UDIMM do kompaktowych lub niskoenergetycznych zestawów.

Główne cechy

• Pojemność 8 GB w pojedynczym module, pozostawiająca miejsce na przyszłą rozbudowę
• Technologia DDR3L z napięciem roboczym 1,35 V dla efektywności energetycznej
• Szybkość 1600 MHz (PC3L-12800) dla płynnej wielozadaniowości
• Konstrukcja bez bufora i bez ECC dla typowych platform desktopowych
• Format 240-pin UDIMM dla szerokiej kompatybilności
• Opóźnienie CAS 11 dla stabilnej wydajności
• Konfiguracja jednorangowa x8 dla kompatybilności z wieloma chipsetami

Specyfikacje

• Typ pamięci: DDR3L
• Pojemność: 8 GB (1 x 8 GB)
• Szybkość: 1600 MHz
• Szybkość przesyłu danych: PC3L-12800
• Format: 240-pin UDIMM
• Korekcja błędów: Non-ECC
• Buforowanie: Unbuffered
• Napięcie: 1,35 V
• Opóźnienie CAS: CL11
• Rank: 1Rx8 (single rank x8)
• Zastosowanie: Komputer stacjonarny

Porady

Przed zakupem sprawdź, czy Twoja płyta główna obsługuje DDR3L i ma wolny slot 240-pin DIMM. Aby uzyskać wydajność dwukanałową, zainstaluj dwa identyczne moduły. Zawsze chwytaj pamięć za krawędzie i unikaj dotykania złotych styków, aby zapobiec uszkodzeniom statycznym.