ALLNET BrickRknowledge Tranzystor n-MOS IPD079N06L3

Tranzystor ALLNET BrickRknowledge n-MOS IPD079N06L3 to wysokowydajny tranzystor MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do wydajnego zarządzania energią i zastosowań przełączających. Wykorzystując technologię Infineon OptiMOS™ 3, zapewnia niską rezystancję w stanie włączenia i szybkie przełączanie, co czyni go idealnym do przetwornic DC-DC, sterowania silnikami i zasilaczy.

Zalety

Niska rezystancja Rds(on) wynosząca 7,9 mΩ minimalizuje straty przewodzenia, a napięcie dren-źródło 60 V gwarantuje niezawodną pracę w wymagających warunkach. Obudowa powierzchniowa TO-252 (DPAK) upraszcza montaż na płytce PCB i oszczędza miejsce.

Zastosowania

• Zarządzanie energią w systemach przemysłowych i motoryzacyjnych
• Przetwornice DC-DC i regulatory napięcia
• Sterowanie silnikami i układy napędowe
• Ochrona akumulatorów i przełączanie obciążeń

Kluczowe specyfikacje

• Typ tranzystora: MOSFET z kanałem N
• Napięcie dren-źródło (Vds): 60 V
• Ciągły prąd drenu (Id @ 25°C): 50 A
• Rezystancja w stanie włączenia (Rds(on) max @ Vgs=10V): 7,9 mΩ
• Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs max): ±20 V
• Całkowity ładunek bramki (Qg typ @ Vgs=10V): 20 nC
• Obudowa: TO-252 (DPAK)
• Sposób montażu: Montaż powierzchniowy
• Zakres temperatur pracy: -55 do 175 °C

Zalecenia

Aby uzyskać optymalną wydajność termiczną, należy zapewnić odpowiednią powierzchnię miedzi na PCB do odprowadzania ciepła. Komponent jest zgodny z RoHS i nadaje się do procesów lutowania bezołowiowego.