2-power 2P-03T7807 - 8 GB - 1 x 8 GB - DDR3L - 1600 MHz

Zmodernizuj swój laptop lub mini PC dzięki modułowi pamięci 2-Power 2P-03T7807, 8GB DDR3L SO-DIMM, który zapewnia niezawodną wydajność przy 1600MHz. Ten pojedynczy moduł 8GB działa przy niskim napięciu 1,35V, zmniejszając zużycie energii i ciepło, co czyni go idealnym do systemów przenośnych. Dzięki formatowi 204-pin i konstrukcji bez bufora i bez ECC, jest to prosty upgrade dla kompatybilnych notebooków i komputerów typu small form factor. Wspierany jakością 2-Power, ten moduł zapewnia płynną wielozadaniowość i lepszą responsywność w codziennym użytkowaniu.

Zalety

Standard DDR3L działa przy napięciu 1,35V, co jest o 20% niższe niż w standardzie DDR3, wydłużając żywotność baterii i zmniejszając emisję ciepła. Szybkość 1600MHz i szybkość przesyłu danych PC3-12800 zapewniają wystarczającą przepustowość dla aplikacji biurowych, przeglądania internetu i odtwarzania multimediów. Format SO-DIMM pasuje do większości laptopów i kompaktowych systemów, a pojemność 8GB pozwala na uruchamianie większej liczby aplikacji jednocześnie bez spowolnień. Instalacja jest prosta: wystarczy włożyć moduł do wolnego gniazda pamięci.

Odpowiedni dla

• Laptopów i notebooków z gniazdami DDR3L SO-DIMM
• Mini PC i komputerów typu small form factor
• Użytkowników modernizujących z 2GB lub 4GB dla lepszej wielozadaniowości
• Systemów wymagających pamięci o niskim napięciu dla efektywności energetycznej
• Kompatybilny z platformami Intel i AMD obsługującymi DDR3L 1600MHz

Kluczowe specyfikacje

• Pojemność: 8GB (1 x 8GB)
• Typ pamięci: DDR3L SDRAM
• Szybkość: 1600MHz (PC3-12800)
• Format: 204-pin SO-DIMM
• Napięcie: 1,35V
• Korekcja błędów: Non-ECC, Unbuffered
• Zgodność: RoHS

Zalecenia

Przed zakupem sprawdź, czy Twoje urządzenie obsługuje DDR3L 204-pin SO-DIMM przy napięciu 1,35V. Ten moduł nie jest kompatybilny ze standardowymi gniazdami DDR3, które wymagają 1,5V. Aby uzyskać optymalną wydajność, instaluj w parach, jeśli Twój system obsługuje pamięć dwukanałową. Zawsze chwytaj moduły pamięci za krawędzie, aby uniknąć uszkodzeń statycznych.