2-power 2P-CF-WBAZ1704 - 4 GB - 1 x 4 GB - DDR3L - 1600 MHz

Zwiększ responsywność swojego laptopa dzięki modułowi pamięci 2-POWER 2P-CF-WBAZ1704. Technik instaluje ten 4GB DDR3L SODIMM w notebooku, który ma problemy z wieloma kartami przeglądarki i aplikacjami biurowymi, natychmiast przywracając płynną wielozadaniowość. Zaprojektowany dla systemów wymagających pamięci o niskim napięciu i wysokiej wydajności, ten moduł zapewnia niezawodną wydajność w codziennym użytkowaniu.

Kluczowe specyfikacje

• Pojemność: 4 GB (moduł 1 x 4 GB)
• Typ pamięci: DDR3L SDRAM
• Szybkość: 1600 MHz (PC3L-12800)
• Typ obudowy: SODIMM 204-pin
• Napięcie: 1,35 V (niskie napięcie)
• Opóźnienie CAS: CL11
• Rank: Single rank (1Rx8)
• Korekcja błędów: Non-ECC
• Buforowanie: Unbuffered
• Zastosowanie: Laptop

Dlaczego warto wybrać

Ten moduł działa przy zaledwie 1,35 V, zmniejszając zużycie energii i generowanie ciepła w porównaniu do standardowego DDR3, co pomaga wydłużyć żywotność baterii w urządzeniach przenośnych. Jego szybkość 1600 MHz i opóźnienie CL11 zapewniają zrównoważoną mieszankę przepustowości i responsywności, co czyni go idealnym ulepszeniem dla starszych laptopów obsługujących DDR3L. Konstrukcja single-rank zapewnia szeroką kompatybilność z różnymi notebookami.

Idealne zastosowania

• Rozbudowa laptopa z 2 GB lub 4 GB do 8 GB dla płynniejszej wielozadaniowości
• Wymiana uszkodzonego modułu pamięci w starszym ultrabooku lub mini PC
• Tchnięcie nowego życia w system używany do przeglądania internetu, poczty e-mail i pracy biurowej
• Budowa lub naprawa komputera o małej obudowie, który wymaga SODIMM o niskim napięciu

Warto wiedzieć

DDR3L jest wstecznie kompatybilny z wieloma gniazdami DDR3, ale zawsze sprawdź w instrukcji laptopa obsługiwane typy pamięci i maksymalną pojemność. Typ obudowy SODIMM 204-pin jest standardem dla notebooków, a konstrukcja unbuffered, non-ECC jest przeznaczona do laptopów konsumenckich i biznesowych, a nie serwerów. Dzięki dożywotniej gwarancji od 2-POWER, ten moduł jest niezawodnym wyborem do rozbudowy pamięci.