2-power 2P-KTD-PE316E/8G - 8 GB - 1 x 8 GB - DDR3L - 1600 MHz

Modernizacja lub wymiana pamięci w komputerze stacjonarnym może być myląca, ale odpowiedni moduł zapewnia stabilną wydajność i kompatybilność. 2-POWER 2P-KTD-PE316E/8G to 8GB moduł DDR3L DIMM pracujący z częstotliwością 1600MHz, zaprojektowany dla systemów wymagających pamięci niskonapięciowej, Non-ECC, bez buforowania. Ten pojedynczy moduł jest idealny do zwiększenia możliwości wielozadaniowości, uruchamiania aplikacji intensywnie korzystających z pamięci lub wymiany uszkodzonej kości bez nadmiernych wydatków.

Dla kogo jest przeznaczony

Ten moduł jest odpowiedni dla użytkowników domowych i biurowych, którzy potrzebują niezawodnej rozbudowy pamięci w komputerach stacjonarnych obsługujących moduły DDR3L DIMM. Jest to również praktyczny wybór dla integratorów systemów i techników IT serwisujących starsze maszyny, zwłaszcza tych wymagających pamięci niskonapięciowej 1.35V dla efektywności energetycznej i zmniejszonego wydzielania ciepła.

Główne cechy

• Pojemność 8GB w pojedynczym module dla łatwej instalacji i przyszłej rozbudowy
• Technologia DDR3L z napięciem roboczym 1.35V dla niższego poboru mocy
• Szybkość 1600MHz (PC3L-12800) zapewnia płynną wydajność w codziennych zadaniach
• Współczynnik kształtu DIMM z 240 pinami pasuje do standardowych płyt głównych komputerów stacjonarnych
• Konstrukcja Non-ECC i bez buforowania zapewnia kompatybilność z platformami konsumenckimi

Specyfikacje

• Typ pamięci: DDR3L
• Pojemność: 8 GB
• Liczba modułów: 1
• Rozmiar modułu: 8 GB
• Szybkość pamięci: 1600 MHz
• Standard pamięci: PC3L-12800
• Współczynnik kształtu: DIMM
• Liczba pinów: 240-pin
• Kontrola błędów: Non-ECC
• Buforowanie: Bez bufora
• Napięcie: 1.35 V
• Zastosowanie: Komputer stacjonarny

Porady

Przed zakupem sprawdź, czy Twoja płyta główna obsługuje moduły DDR3L DIMM i ma wolny slot 240-pin. Ponieważ jest to pojedynczy moduł 8GB, możesz później dobrać identyczną kość, aby uzyskać wydajność dwukanałową, jeśli Twoja płyta to obsługuje. Zawsze chwytaj moduły pamięci za krawędzie, aby uniknąć uszkodzeń elektrostatycznych.