2-power 2P-OTB160L04G1 - 4 GB - 1 x 4 GB - DDR3L - 1600 MHz

Laptopy, które od zakupu pracują na tej samej pamięci, często zwalniają podczas codziennego wykonywania wielu zadań jednocześnie, ale pojedynczy moduł DDR3L o pojemności 4 GB może przywrócić responsywną wydajność bez wymiany całego komputera. Ten moduł 2-POWER 2P-OTB160L04G1 zapewnia dokładnie to: prostą modernizację, która pasuje do standardowego gniazda SO-DIMM 204-pin i działa z częstotliwością 1600 MHz przy niskim poborze mocy 1,35 V.

Dla kogo jest przeznaczony

Jest przeznaczony dla użytkowników starszych notebooków i komputerów o małej obudowie, którzy potrzebują więcej zapasu na Windows, Linux lub codzienne aplikacje. Jest to również praktyczny wybór dla techników IT i refurbisherów, którzy modernizują floty laptopów opartych na DDR3L, a także dla każdego, kto buduje kompaktowy system, w którym efektywność energetyczna ma znaczenie.

Główne cechy

• 4 GB pamięci DDR3L SDRAM, pojedynczy moduł, PC3-12800 (1600 MHz)
• Współczynnik kształtu SO-DIMM 204-pin dla laptopów i mini PC
• Praca przy niskim napięciu 1,35 V zmniejsza nagrzewanie i wydłuża żywotność baterii
• Konfiguracja Non-ECC, unbuffered, single-rank (1Rx8)
• Opóźnienie CAS CL11 dla stabilnej wydajności
• Kompatybilny z systemami obsługującymi pamięć DDR3L SO-DIMM

Specyfikacje

• Marka: 2-POWER
• Model: 2P-OTB160L04G1
• Pojemność: 4 GB (1 x 4 GB)
• Typ pamięci: DDR3L SDRAM
• Szybkość: 1600 MHz (PC3-12800)
• Współczynnik kształtu: SO-DIMM 204-pin
• Napięcie: 1,35 V
• Opóźnienie CAS: CL11
• Rank: Single rank (1Rx8)
• Korekcja błędów: Non-ECC
• Buforowanie: Unbuffered
• Konfiguracja modułu: 512M x 64
• Szybkość transferu danych: 12,8 GB/s
• Zastosowanie: Laptop / Notebook

Porady

Przed zamówieniem upewnij się, że Twój laptop obsługuje DDR3L (nie standardowe DDR3) i ma wolne gniazdo SO-DIMM. Wiele systemów z procesorami Intel Core czwartej generacji lub nowszymi jest kompatybilnych. Instalacja pamięci jest zwykle prostym procesem: wyłącz zasilanie, wyjmij baterię, jeśli to możliwe, otwórz komorę pamięci i włóż moduł pod kątem 30 stopni, aż zatrzaśnie się na miejscu. Zawsze trzymaj moduł za krawędzie, aby uniknąć uszkodzeń elektrostatycznych.