ALLNET ALL-BRICK-0041 25V N-Channel MOSFET Transistor DPAK

ALLNET ALL-BRICK-0041 to wysokowydajny tranzystor MOSFET z kanałem N w trybie wzmocnienia w obudowie DPAK (TO-252) do montażu powierzchniowego. Zaprojektowany do wydajnego przełączania i regulacji mocy, tranzystor ten zapewnia ciągły prąd drenu 20 A przy niskiej rezystancji włączenia 10 mΩ, co czyni go idealnym do przetwornic DC-DC, sterowania silnikami i zarządzania energią.

Zalety

Niska rezystancja włączenia (Rds(on) = 10 mΩ) minimalizuje straty przewodzenia i poprawia wydajność. Szybkie przełączanie z typowym opóźnieniem włączenia 10 ns i wyłączenia 20 ns umożliwia pracę z wysoką częstotliwością. Zgodny z RoHS i wolny od halogenów, zapewniając bezpieczeństwo środowiskowe.

Zastosowania

• Zasilacze
• Przetwornice DC-DC
• Sterowniki silników
• Systemy zarządzania bateriami
• Przełączanie obciążeń

Kluczowe specyfikacje

• Typ tranzystora: N-Channel MOSFET
• Napięcie dren-źródło (Vds): 25 V
• Ciągły prąd drenu (Id): 20 A (w 25°C)
• Rezystancja włączenia (Rds(on)): 10 mΩ (przy Vgs=10V, Id=10A)
• Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±20 V
• Napięcie progowe bramki (Vgs(th)): 2 V (typ.)
• Moc strat (Pd): 30 W (w 25°C)
• Typ obudowy: DPAK (TO-252)
• Sposób montażu: Montaż powierzchniowy
• Zakres temperatur pracy: -55°C do +150°C
• Liczba wyprowadzeń: 3
• Tryb kanału: Wzmocnienie
• Pojemność wejściowa (Ciss): 1000 pF (typ.)
• Pojemność wyjściowa (Coss): 200 pF (typ.)
• Pojemność zwrotna (Crss): 50 pF (typ.)
• Czas opóźnienia włączenia (td(on)): 10 ns (typ.)
• Czas opóźnienia wyłączenia (td(off)): 20 ns (typ.)
• Napięcie przewodzenia diody wewnętrznej (Vsd): 1,2 V (typ.)
• Zgodny z RoHS: Tak
• Wolny od halogenów: Tak

Zalecenia

Dla optymalnej wydajności termicznej należy zapewnić odpowiednią powierzchnię miedzi na PCB i rozważyć zastosowanie radiatora w przypadku pracy blisko maksymalnej mocy strat. Nadaje się do automatycznych procesów montażu SMT.