ALLNET BrickRknowledge p-MOS SPD18P06P P-Channel Power MOSFET -60V 18A DPAK

ALLNET BrickRknowledge p-MOS SPD18P06P to wysokowydajny P-Channel Power MOSFET przeznaczony do wydajnego zarządzania energią i zastosowań przełączających. Wyprodukowany przez Infineon Technologies, ten komponent charakteryzuje się napięciem dren-źródło -60 V i ciągłym prądem drenu -18 A, co czyni go odpowiednim do szerokiego zakresu obwodów elektronicznych. Umieszczony w obudowie DPAK (TO-252) do montażu powierzchniowego, oferuje niezawodną wydajność w kompaktowych konstrukcjach.

Zalety

Ten MOSFET zapewnia niską rezystancję w stanie włączenia (65 mΩ przy Vgs=-10V) dla zmniejszonych strat mocy, wysoką prędkość przełączania oraz solidną wydajność termiczną z mocą strat 60 W. Jego technologia SIPMOS® gwarantuje doskonałą wydajność i trwałość w wymagających środowiskach.

Zastosowania

• Obwody zasilania
• Przetwornice DC-DC
• Sterowanie silnikami
• Systemy zarządzania bateriami
• Przełączanie obciążeń

Kluczowe specyfikacje

• Typ komponentu: P-Channel Power MOSFET
• Napięcie dren-źródło (Vds): -60 V
• Ciągły prąd drenu (Id): -18 A (przy Tc=25°C)
• Rezystancja w stanie włączenia (Rds(on)): 65 mΩ (przy Vgs=-10V, Id=-14A)
• Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±20 V
• Moc strat (Pd): 60 W (przy Tc=25°C)
• Typ obudowy: DPAK (TO-252)
• Montaż: Montaż powierzchniowy
• Zakres temperatur pracy: -55 do 175 °C
• Całkowity ładunek bramki (Qg): 25 nC (typowy)
• Napięcie progowe bramki (Vgs(th)): -2,1 V (min)
• Pojemność wejściowa (Ciss): 1000 pF (typowa)
• Pojemność wyjściowa (Coss): 200 pF (typowa)
• Pojemność zwrotna (Crss): 100 pF (typowa)
• Liczba pinów: 3
• Polaryzacja tranzystora: P-Channel
• Technologia: SIPMOS®

Zalecenia

Dla optymalnej wydajności należy zapewnić odpowiednie odprowadzanie ciepła i postępować zgodnie z wytycznymi producenta dotyczącymi sterowania bramką i układu PCB. Ten komponent jest idealny dla inżynierów i hobbystów poszukujących niezawodnego P-Channel MOSFET do zastosowań średniej mocy.