Dysk SSD Hiksemi Future 512GB Gen4 M.2 NVMe 3D NAND

Dysk SSD Hiksemi Future 512GB Gen4 M.2 NVMe wyróżnia się interfejsem PCIe Gen4 x4, zapewniając prędkość odczytu sekwencyjnego do 3500 MB/s — prawie dwukrotnie większą przepustowość niż dyski Gen3 — pozostając jednocześnie wstecznie kompatybilnym. Zbudowany na pamięci 3D TLC NAND i kontrolerze Maxio MAP1202, łączy wysoką wydajność z trwałością dla wymagających zastosowań.

Najważniejsze cechy

• Pojemność 512GB dla systemu operacyjnego, aplikacji i multimediów w wysokiej rozdzielczości
• Format M.2 2280 pasuje do ultrabooków, komputerów stacjonarnych i zestawów gamingowych
• Protokół NVMe 1.4 z Host Memory Buffer (HMB) zmniejsza opóźnienia
• Do 300 000 losowych operacji odczytu na sekundę (IOPS) dla płynnej pracy wielozadaniowej
• Trwałość 250 TBW i MTBF 1,5 mln godzin dla długoterminowej niezawodności

W codziennym użytkowaniu

Czasy uruchamiania skracają się do sekund, a przesyłanie dużych plików jest zauważalnie szybsze niż w przypadku dysków SATA lub Gen3. Dysk pozostaje chłodny przy ciągłym obciążeniu dzięki wydajnemu zarządzaniu energią — maksymalnie 3,5 W podczas odczytu. Wsparcie dla TRIM i S.M.A.R.T. utrzymuje stałą wydajność w czasie, a ECC koryguje błędy na bieżąco.

Pełna specyfikacja

• Pojemność: 512 GB
• Interfejs: PCIe Gen4 x4
• Wersja NVMe: 1.4
• Format: M.2 2280
• Typ pamięci flash NAND: 3D TLC
• Kontroler: Maxio MAP1202
• Prędkość odczytu sekwencyjnego: do 3500 MB/s
• Prędkość zapisu sekwencyjnego: do 2600 MB/s
• Losowe odczyty IOPS (4KB): do 300 000
• Losowe zapisy IOPS (4KB): do 400 000
• Wskaźnik TBW: 250 TB
• MTBF: 1 500 000 godzin
• Temperatura pracy: 0°C do 70°C
• Temperatura przechowywania: -40°C do 85°C
• Pobór mocy (odczyt): maks. 3,5 W
• Pobór mocy (zapis): maks. 3,2 W
• Pobór mocy (bezczynność): typ. 0,3 W
• Funkcje: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, HMB

Uwagi końcowe

Dla użytkowników modernizujących starsze nośniki, Hiksemi Future 512GB zapewnia wymierny wzrost szybkości bez obciążania budżetu — idealny do gier, tworzenia treści i codziennej pracy.