Lenovo ThinkSystem - DDR5 - Modul - 64GB - DIMM 288-PIN - 4800 MHz / PC5-38400 - registriert - für ThinkSystem SR630 V3, SR650 V3, SR850 V3, SR860 V3,

Moduł pamięci Lenovo 4X77A77032 oferuje 64 GB pamięci RAM DDR5 o częstotliwości 4800 MHz w formacie 288-pin DIMM, zaprojektowany do serwerów ThinkSystem. Ta konfiguracja z jednym modułem ma na celu zapewnienie niezawodnej wydajności i kompatybilności w obciążeniach serwerowych, takich jak wirtualizacja, przetwarzanie w chmurze i obliczenia o wysokiej wydajności.

Zalety

Moduł łączy architekturę DDR5 z szybkością zegara 4800 MHz, aby zwiększyć przepustowość danych i responsywność w zadaniach wymagających dużej ilości pamięci. Jako część kompatybilna z Lenovo TruDDR5 dla serwerów ThinkSystem, kładzie nacisk na niezawodność i jakość odpowiednią dla środowisk korporacyjnych, zajmując przy tym tylko jedno gniazdo DIMM dla łatwej instalacji.

Odpowiedni do

• Analizy Big Data i przetwarzania w pamięci
• Hostów przetwarzania w chmurze i wirtualizacji
• Serwerów baz danych i przetwarzania transakcji
• Obciążeń obliczeń o wysokiej wydajności (HPC)

Kluczowe specyfikacje

• Pojemność: 64 GB
• Typ: DDR5
• Szybkość: 4800 MHz
• Format: 288‑pin DIMM
• Numer części producenta (MPN): 4X77A77032
• EAN: 0889488588572

Jak używać

Upewnij się, że serwer jest wyłączony i odłączony od zasilania przed instalacją modułu 288‑pin DIMM. Zapoznaj się z instrukcją serwera ThinkSystem, aby poznać zasady obsadzania pamięci i kolejność gniazd. Włóż moduł do kompatybilnego gniazda DDR5 DIMM, aż zatrzaski zabezpieczające zatrzasną się, a następnie podłącz ponownie zasilanie i sprawdź, czy system rozpoznaje moduł 64 GB w oprogramowaniu układowym lub diagnostyce systemowej.

Zalecenia

Aby uzyskać optymalną wydajność i niezawodność, instaluj pamięć w dopasowanych parach lub zgodnie z zalecanymi przez Lenovo wytycznymi dotyczącymi obsadzania modułów DIMM dla konkretnego modelu ThinkSystem. Używaj aktualizacji oprogramowania układowego i BIOS od dostawcy, które zawierają ulepszenia kompatybilności i stabilności pamięci.