GoodRam DDR3 - Modul - 8 GB - SO DIMM 204-PIN

GOODRAM SODIMM DDR3 8GB 1600MHz to 204-pinowy moduł pamięci SO-DIMM do laptopów oferujący pojemność 8 GB, technologię DDR3 i taktowanie 1600 MHz. Pracuje przy napięciu 1,35 V i został zaprojektowany do modernizacji notebooków i laptopów, zapewniając płynniejszą wielozadaniowość i szybszy transfer danych przy niskim zużyciu energii.

Zalety

Moduł zapewnia równowagę pojemności i szybkości dzięki 8 GB pamięci DDR3 działającej z częstotliwością 1600 MHz i opóźnieniem CL11, kompatybilnej z konfiguracjami jednokanałowymi SO-DIMM. Wyprodukowany w Polsce z wyselekcjonowanych komponentów, każdy moduł przechodzi wieloetapową kontrolę jakości i testy oraz jest objęty dożywotnią gwarancją. Niskie napięcie robocze (1,35 V) zmniejsza pobór mocy w systemach przenośnych.

Zastosowanie

• Uaktualnienie pamięci laptopa lub notebooka do 8 GB
• Poprawa wielozadaniowości i responsywności w codziennych aplikacjach
• Wymiana lub rozbudowa modułów DDR3 SO-DIMM w kompatybilnych systemach

Kluczowe specyfikacje

• Marka: GOODRAM
• Model / MPN: GR1600S3V64L11/8G
• Pojemność: 8 GB
• Typ pamięci: DDR3 SO-DIMM (204-pin)
• Taktowanie: 1600 MHz
• Napięcie: 1,35 V
• Opóźnienie: CL11
• EAN: 5908267903476

Sposób użycia

Wyłącz laptopa, odłącz źródło zasilania i wyjmij baterię, jeśli to możliwe. Otwórz komorę pamięci lub obszar klawiatury zgodnie z instrukcjami producenta urządzenia. Dopasuj wycięcie w 204-pinowym module SO-DIMM do gniazda, włóż moduł pod kątem i dociśnij, aż boczne zatrzaski zablokują go na miejscu. Złóż laptopa, podłącz zasilanie i uruchom system, aby potwierdzić, że nowa pamięć jest rozpoznawana w BIOS-ie lub systemie operacyjnym.

Zalecenia

Przed instalacją sprawdź w dokumentacji laptopa kompatybilność z DDR3 1600 MHz SO-DIMM i maksymalną obsługiwaną pamięć na gniazdo. Podczas wymiany modułów wyłącz urządzenie i zastosuj środki ostrożności przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD). Aby uzyskać najlepsze rezultaty, instaluj moduły pamięci o tej samej pojemności i specyfikacjach w sparowanych gniazdach.