Pamięć Flash Transcend 16 GB MicroSDHC UHS-I TS16GUSDU1

Karta Transcend 16 GB MicroSDHC UHS-I (TS16GUSDU1) zapewnia 16 GB wymiennej pamięci flash zaprojektowanej z myślą o smartfonach, tabletach i innych urządzeniach mobilnych. Oferuje wydajność w klasie prędkości UHS 1 oraz klasie 10 z wewnętrzną pamięcią MLC i zapewnia prędkość odczytu do 90 MB/s. Karta jest dostarczana z adapterem SD i dostępna w kolorze czarnym i czerwonym.

Zalety

Ta karta Transcend MicroSDHC łączy oznaczenia Class 10 i UHS-I U1, zapewniając stałą wydajność w przypadku aplikacji mobilnych wymagających dużej pamięci oraz nagrywania wideo Full HD. Dzięki wewnętrznej pamięci MLC i wysokiej prędkości odczytu do 90 MB/s umożliwia niezawodny dostęp do danych i szybki transfer plików między urządzeniami przy użyciu dołączonego adaptera.

Odpowiednia do

• Smartfonów i tabletów do przechowywania aplikacji i multimediów
• Nagrywania i odtwarzania wideo Full HD
• Rozszerzania pamięci urządzeń przenośnych i aparatów obsługujących microSDHC

Kluczowe specyfikacje

• Pojemność: 16 GB
• Typ karty flash: MicroSDHC
• Klasa pamięci flash: Klasa 10, Klasa prędkości UHS 1 (U1)
• Prędkość odczytu: do 90 MB/s
• Typ pamięci wewnętrznej: MLC
• Kolory: Czarny, Czerwony
• Zawiera: Adapter SD
• Waga: 0.0004 kg

Sposób użycia

Włóż kartę microSDHC do gniazda microSD w smartfonie, tablecie lub innym kompatybilnym urządzeniu. Jeśli urządzenie obsługuje tylko standardowe karty SD, włóż kartę microSDHC do dołączonego adaptera SD, a następnie włóż adapter do gniazda SD. Jeśli pojawi się odpowiedni monit, przed pierwszym użyciem sformatuj kartę w urządzeniu, a pliki przesyłaj za pomocą interfejsu urządzenia lub czytnika kart podłączonego do komputera.

Zalecenia

Używaj karty do przechowywania aplikacji, multimediów i nagrywania wideo Full HD na urządzeniach obsługujących microSDHC i prędkości UHS-I. Regularnie twórz kopie zapasowe ważnych danych i formatuj kartę w docelowym urządzeniu, jeśli wystąpią problemy z wydajnością. Trzymaj kartę z dala od ekstremalnych temperatur, wilgoci i silnych pól magnetycznych.