PHS-memory 32GB DDR5 SO-DIMM 5600MHz PC5-44800S RAM do Asus ExpertCenter P500MV-05210H289X (SP622565)

Doświadcz ogromnej przepustowości 44,8 GB/s dzięki temu modułowi 32GB DDR5 SO-DIMM, zaprojektowanemu dla Asus ExpertCenter P500MV-05210H289X. Działając z częstotliwością 5600MHz i klasyfikacją PC5-44800S, zapewnia przepustowość, której wymagają nowoczesne laptopy, mini PC i komputery all-in-one do multitaskingu, tworzenia treści i intensywnych obciążeń.

Przegląd

PHS-memory SP622565 to pojedynczy moduł pamięci 32GB DDR5 SO-DIMM, w pełni kompatybilny z Asus ExpertCenter P500MV-05210H289X. Zbudowany w standardzie DDR5, działa z częstotliwością 5600MHz z oznaczeniem PC5-44800S, zapewniając bezproblemową integrację i najwyższą wydajność. Konstrukcja 262-pin unbuffered, non-ECC jest dostosowana do systemów, które priorytetowo traktują szybkość i wydajność, podczas gdy napięcie robocze 1,1V zmniejsza zużycie energii w porównaniu do poprzednich generacji.

Co się wyróżnia

• Wysoka pojemność: 32GB do obsługi wymagających aplikacji i intensywnego multitaskingu.
• Błyskawiczna prędkość: taktowanie 5600MHz z przepustowością 44,8 GB/s.
• Technologia DDR5: ulepszona przepustowość i niższe zużycie energii (1,1V).
• Format SO-DIMM: idealny do laptopów, mini PC i systemów all-in-one.
• Plug-and-play: nie wymaga konfiguracji; wystarczy zainstalować i gotowe.

Szczegóły techniczne

• Pojemność: 32 GB
• Typ pamięci: DDR5
• Typ modułu: SO-DIMM
• Prędkość: 5600 MHz (PC5-44800S)
• Przepustowość: 44,8 GB/s
• ECC: Non-ECC
• Buforowanie: Unbuffered
• Konfiguracja pinów: 262-pin
• Napięcie: 1,1 V
• Kompatybilność: Asus ExpertCenter P500MV-05210H289X
• Zastosowanie: Laptop, Mini PC, All-in-One PC
• Ilość modułów: 1
• Radiator: Nie
• Temperatura pracy: 0°C do 85°C

Nasza opinia

Ulepsz swój Asus ExpertCenter dzięki temu wysokowydajnemu modułowi 32GB DDR5 SO-DIMM. Oferuje wyjątkową szybkość, dużą pojemność i efektywność energetyczną, co czyni go idealnym wyborem dla profesjonalistów i zaawansowanych użytkowników poszukujących niezawodnego zwiększenia pamięci.