PNY Performance 8GB DDR5-5600 SO-DIMM Moduł pamięci, CL40, 1.1V, 1Rx16, Non-ECC, Unbuffered

Zmodernizuj swój laptop, mini PC lub komputer all-in-one dzięki modułowi PNY Performance 8GB DDR5-5600 SO-DIMM. Ten moduł zapewnia ogromny wzrost przepustowości w porównaniu z DDR4, umożliwiając płynne uruchamianie wymagających aplikacji, wielozadaniowość i szybsze ładowanie. Przy szybkości transmisji danych 5600 MT/s i opóźnieniu CL40, jest stworzony dla użytkowników potrzebujących niezawodnej wydajności bez wysiłku.

Kluczowe specyfikacje

• Typ pamięci: DDR5
• Typ obudowy: SO-DIMM (262-pin)
• Pojemność: 8 GB
• Szybkość: 5600 MHz (PC5-44800)
• Opóźnienie CAS: CL40
• Napięcie: 1.1 V
• Konfiguracja modułu: 1Rx16
• ECC: Non-ECC
• Buforowanie: Unbuffered
• Zgodny z JEDEC

Dlaczego warto wybrać ten produkt

DDR5 oferuje wyższe częstotliwości, lepszą efektywność energetyczną i wbudowane ECC dla zwiększonej integralności danych. Seria PNY Performance jest rygorystycznie testowana pod kątem kompatybilności i stabilności, co czyni ją niezawodnym wyborem do modernizacji systemu. Niskie napięcie robocze 1.1V pomaga zmniejszyć zużycie energii i ciepło, wydłużając żywotność baterii w urządzeniach przenośnych.

Idealne zastosowania

• Modernizacja laptopa dla lepszej wielozadaniowości i wydajności
• Budowa lub odświeżenie kompaktowego mini PC lub all-in-one
• Uruchamianie aplikacji wymagających dużej ilości pamięci, takich jak edycja zdjęć, programowanie lub maszyny wirtualne
• Wymiana uszkodzonego lub przestarzałego modułu SO-DIMM

Warto wiedzieć

Ten pojedynczy moduł 8GB pozostawia miejsce na przyszłą rozbudowę — większość laptopów ma dwa gniazda SO-DIMM. Działa przy standardowych timingach JEDEC, więc nie wymaga ręcznego podkręcania. Wspierany reputacją PNY za jakość, ta pamięć to prosty i niezawodny upgrade.