Samsung DDR3 - Modul - 8 GB - DIMM 240-PIN

Samsung Computing DRAM

Odpowiednie rozwiązanie pamięci może być jedną z najważniejszych przewag konkurencyjnych. Samsung przoduje w branży dzięki najnowocześniejszej technologii DRAM, w tym DDR2, DDR3, a wkrótce DDR4, aby zwiększyć sukces Twoich projektów. Wykorzystaj najszybszą i najwydajniejszą pamięć DDR3 Samsunga już dziś z dwukanałowym, 128-bitowym modułem pamięci, umożliwiającym przepustowość ponad 25,6 GB/s.

Spełniaj rosnące wymagania dotyczące efektywności energetycznej

Nasza najnowsza generacja Computing DRAM zapewnia wyjątkowe połączenie szybkości i wydajności. Dedykowane funkcje zarządzania energią na pokładzie pomagają zmniejszyć zużycie energii podczas bezczynnych cykli pamięci.

Efektywność energetyczna może przełożyć się na duże oszczędności kosztów w środowiskach serwerowych i stacjonarnych, długi czas pracy baterii dla użytkowników notebooków i mały ślad węglowy. Rozwiązania Samsung Computing DRAM zwiększają konkurencyjność dzięki funkcjom umożliwiającym:

- Wykorzystanie naszej ultraniskoenergetycznej technologii pamięci z 30-nm klasą, 1,35 V, 2 Gb DDR3.
- Osiągnięcie oszczędności energii pamięci do 67 procent przy użyciu najnowszych rozwiązań DDR3 klasy 20 nm Samsunga, w porównaniu do istniejących DDR3 klasy 50 nm.
- Pracę przy napięciach tak niskich jak 1,2 V, umożliwiając jednocześnie prawie dwukrotnie większą przepustowość niż DDR3 dzięki nadchodzącej pamięci DDR4.

Wprowadzaj zaawansowane rozwiązania produktowe w życie

Możliwości dla pamięci DRAM są ogromne i obejmują prawie każde urządzenie zdolne do wzajemnego połączenia i pracy w sieci. Samsung Computing DRAM zapewnia szeroki zakres zalet projektowych, w tym:

- Częstotliwości zegara przekraczające 1 GHz, umożliwiające szybkości transmisji danych do 1866 Mb/s, aby wspierać dzisiejsze wysokowydajne i szybkie procesory.
- Bardzo niskie napięcia robocze, pomagające znacząco zmniejszyć zużycie energii i wydłużyć czas użytkowania urządzeń zasilanych bateriami.
- Coraz gęstsze wykonanie (takie jak najnowsza DDR3 20 nm), minimalizujące liczbę układów wchodzących do produktu końcowego i odzyskujące przestrzeń na płycie, którą w przeciwnym razie zajmowałyby układy poprzedniej generacji.
- Wbudowane mechanizmy, takie jak ekranowanie DQ, samokalibracja i topologia fly-by dla lepszej kontroli sygnału.

Doświadczenie Samsunga w pamięciach półprzewodnikowych oraz we wdrażaniu technologii pamięci nowej generacji rozwija projekty urządzeń i aplikacji, takich jak ultracienkie laptopy o wydłużonym czasie pracy baterii.
Serwery zoptymalizowane pod kątem chmury również znacznie korzystają z Samsung Computing DRAM.

Samsung 8GB DDR3 SDRAM. Przeznaczenie: PC/Serwer, Pamięć wewnętrzna: 8 GB, Układ pamięci (moduły x rozmiar): 1 x 8 GB, Typ pamięci wewnętrznej: DDR3, Taktowanie pamięci: 1600 MHz, Format pamięci: 240-pin DIMM, CAS latency: 11, ECC