Samsung - DDR5 - Moduł - 8 GB - SO DIMM 262-PIN - 5600 MHz CL40 1.1 V niebuforowany

Gdy Twój laptop lub komputer o małej obudowie ma problemy z wielozadaniowością, wolnym uruchamianiem aplikacji lub częstymi zawieszeniami, winowajcą jest często niewystarczająca lub przestarzała pamięć. Moduł Samsung 8GB DDR5 SO-DIMM (M425R1GB4PB0-CWM) bezpośrednio rozwiązuje te problemy, zapewniając wydajność DDR5 nowej generacji w kompaktowej, energooszczędnej formie. Zaprojektowany z myślą o nowoczesnych notebookach i mini komputerach, moduł ten oferuje szybsze przesyłanie danych, większe pasmo i lepszą efektywność energetyczną w porównaniu z DDR4, zapewniając płynne działanie podczas codziennej pracy, przeglądania treści i lekkiej produktywności.

Dla kogo jest przeznaczony

Ten moduł pamięci jest idealny dla użytkowników laptopów, administratorów IT i integratorów systemów, którzy potrzebują rozbudowy lub wymiany pamięci w notebookach, ultrabookach lub komputerach stacjonarnych o małej obudowie zgodnych z DDR5. Sprawdzi się u studentów, profesjonalistów i użytkowników domowych, którzy wymagają niezawodnej wydajności podczas przeglądania stron internetowych, pracy w aplikacjach biurowych, strumieniowania wideo i umiarkowanej wielozadaniowości, bez kosztów zestawów o większej pojemności.

Główne cechy

• Pojemność 8 GB w pojedynczym module SO-DIMM, idealna do rozbudowy pamięci systemowej lub wymiany uszkodzonej kośći.
• Technologia DDR5 z szybkością 5600 MHz (PC5-44800) zapewniająca znacznie większe pasmo niż DDR4.
• Opóźnienie CL40 i napięcie robocze 1,1 V dla efektywnego zużycia energii i chłodniejszej pracy.
• Format SO-DIMM 262-pin, kompatybilny z gniazdami pamięci DDR5 w laptopach i komputerach o małej obudowie.
• Konstrukcja niebuforowana, non-ECC z wbudowanym ECC zapewniającym integralność danych bez narzutu zewnętrznego ECC.
• Konfiguracja jednorz warningsowa (1Rx8) zapewnia szeroką kompatybilność z różnymi systemami.
• Wspierany reputacją Samsunga w produkcji wysokiej jakości układów DRAM i rygorystycznymi testami.

Specyfikacje

• Marka: Samsung
• Model: M425R1GB4PB0-CWM
• Typ pamięci: DDR5 SDRAM
• Typ modułu: SO-DIMM
• Pojemność: 8 GB
• Szybkość: 5600 MHz (PC5-44800)
• Opóźnienie CAS: CL40
• Napięcie: 1,1 V
• Liczba pinów: 262-pin
• Kontrola integralności danych: Non-ECC (z wbudowanym ECC)
• Typ buforowania: Niebuforowany
• Rank: Single Rank (1Rx8)
• Zastosowanie: Laptopy, Notebooki, Komputery o małej obudowie
• Kompatybilność: Systemy obsługujące pamięć DDR5 SO-DIMM 5600MHz

Porady

Przed zakupem sprawdź, czy Twój laptop lub komputer o małej obudowie obsługuje pamięć DDR5 SO-DIMM i ma wolne gniazdo. Sprawdź maksymalną obsługiwaną szybkość i pojemność w instrukcji systemu lub na stronie producenta. Aby uzyskać wydajność dwukanałową, rozważ instalację dwóch identycznych modułów. Zawsze chwytaj moduły pamięci za krawędzie, aby uniknąć uszkodzeń elektrostatycznych, i upewnij się, że system jest wyłączony i odłączony od zasilania podczas instalacji.