Samsung Photo Interrupter Diode DIP

Dioda Samsung Photo Interrupter Diode DIP to wysokiej jakości szczelinowy przełącznik optyczny przeznaczony do precyzyjnego wykrywania i czujników. Ten komponent przewlekany integruje nadajnik diody IR i detektor fototranzystora NPN w kompaktowej obudowie DIP, oferując niezawodną wydajność do wykrywania położenia, obiektów i systemów sterowania ruchem.

Zalety

Ten fotointerrupter zapewnia doskonałą czułość i szybkie czasy reakcji, co czyni go idealnym do zastosowań przemysłowych i elektroniki użytkowej. Jego solidna konstrukcja przewlekana zapewnia łatwy montaż i długoterminową stabilność. Dzięki szerokości szczeliny 5 mm i głębokości przerwy 8 mm, obsługuje różne nieprzezroczyste obiekty do dokładnego wykrywania przerwań.

Zastosowania

• Wykrywanie położenia i krańcowe w drukarkach, kopiarkach i automatach vendingowych
• Wykrywanie obiektów w automatyce i robotyce
• Sterowanie ruchem i enkodery
• Wykrywanie zacięć papieru w sprzęcie biurowym

Kluczowe specyfikacje

• Typ czujnika: Szczelinowy przełącznik optyczny (Photo Interrupter)
• Nadajnik: Dioda IR (940 nm)
• Detektor: Fototranzystor NPN
• Wyjście: Tranzystor (kolektor-emiter)
• Obudowa: Przewlekana DIP, 4 piny
• Szerokość szczeliny: 5 mm
• Głębokość przerwy: 8 mm
• Prąd przewodzenia diody LED: 20 mA
• Napięcie przewodzenia diody LED: 1,2 V
• Vce(max) fototranzystora: 30 V
• Ic(max) fototranzystora: 20 mA
• Czas reakcji: 15 µs narastanie/opadanie
• Temperatura pracy: -25°C do +85°C

Zalecenia

Aby uzyskać optymalną wydajność, upewnij się, że przerywany obiekt jest nieprzezroczysty i prawidłowo ustawiony w szczelinie. Ten komponent jest bezpośrednim zamiennikiem wielu standardowych fotointerrupterów i jest kompatybilny z typowymi układami logicznymi.